陶瓷覆銅板（DBC） DBC是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(AL2Q3)或氮化鋁(ALN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝方法。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，DBC基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料，也是本世紀(jì)封裝技術(shù)發(fā)展方向“chip-on-board”技術(shù)的基礎(chǔ)。 1、 DBC應(yīng)用 大功率電力半導(dǎo)體模塊； 半導(dǎo)體致冷器、電子加熱器； 功率控制電路，功率混合電路； 智能功率組件； 高頻開關(guān)電源，固態(tài)繼電器； 汽車電子，航天航空及軍用電子組件； 太陽能電池板組件； 電訊專用交換機(jī)，接收系統(tǒng)； 激光等工業(yè)電子。 2、DBC特點(diǎn) 機(jī)械應(yīng)力強(qiáng)，形狀穩(wěn)定； 高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱率、高絕緣性； 結(jié)合力強(qiáng)，防腐蝕； 極好的熱循環(huán)性能，循環(huán)次數(shù)達(dá)5萬次，可靠性高； 與PCB板(或IMS基片)一樣可刻蝕出各種圖形的結(jié)構(gòu) 無污染、無公害； 使用溫度寬-55℃～850℃； 熱膨脹系數(shù)接近硅，簡化功率模塊的生產(chǎn)工藝。 3、使用DBC優(yōu)越性 DBC的熱膨脹系數(shù)接近硅芯片，可節(jié)省過渡層Mo片，省工、節(jié)材、降低成本； 減少焊層，降低熱阻，減少空洞，提高成品率； 在相同截面積下。0.3mm厚的銅箔線寬僅為普通印刷電路板的10%； 優(yōu)良的導(dǎo)熱性，使芯片的封裝非常緊湊，從而使功率密度大大提高，改善系統(tǒng)和裝置的可靠性； 超薄型(0.25mm)DBC板可替代BeO，無環(huán)保毒性問題； 載流量大，100A電流連續(xù)通過1mm寬0.3mm厚銅體，溫升約17℃；100A電流連續(xù)通過2mm寬0.3mm厚銅體，溫升僅5℃左右； 熱阻低，10×10mmDCB板的熱阻： 厚0.63mm為0.31K/W 厚0.38mm為0.19K/W 厚0.25mm為0.14K/W 絕緣耐壓高，保障人身安全和設(shè)備的防護(hù)能力； 可以實(shí)現(xiàn)新的封裝和組裝方法，使產(chǎn)品高度集成，體積縮小。 4、陶瓷覆銅板DBC技術(shù)參數(shù) 技術(shù)參數(shù) AL2O3(≥96%) 最大規(guī)格 mm×mm 138×178 或138×188 瓷片厚度 mm 0.25, 0.32, 0.38, 0.5,0.63±0.07(標(biāo)準(zhǔn)),1.0, 1.3, 2.5 瓷片熱導(dǎo)率 W/m.K 24～28 瓷片介電強(qiáng)度 KV/mm ＞14 瓷片介質(zhì)損耗因數(shù) ≤3×10-4(25℃/1MHZ) 瓷片介電常數(shù) 9.4(25℃/1MHZ) 銅箔厚度(mm) 0.1～0.6 0.3±0.015(標(biāo)準(zhǔn)) 銅箔熱導(dǎo)率 W/m.K 3