STM系列 IGBT突波吸收電容

雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。
高性價(jià)比，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引、混合動(dòng)力車、大功率轉(zhuǎn)換、逆變焊機(jī)、風(fēng)力發(fā)電等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計(jì)。

材料特性
電容結(jié)構(gòu):     雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)
封裝:              阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).
尺寸:              能適合任何品牌的IGBT模塊尺寸。
                        (可按客戶需求定制特殊規(guī)格)
電氣特性
電容量:          0.047μF to 5.6μF, 參考表格數(shù)據(jù)
額定電壓:      700,850,1000,1200,1500,2000,2500 ，3000VDC
損耗角正切:  測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.          
                         Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4
絕緣電阻:      3000s，s= MΩ. μF 測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)
耐電壓:          2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min
工作溫度:      -40~+85℃
電容量變化:  -3% ，30,000小時(shí)（有效電壓工作狀態(tài)），
                         或100,000 hours （額定電壓工作狀態(tài)）