雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗，多條引線設(shè)計，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過壓能力。

用于各類IGBT緩沖線路突波吸收，各類高頻諧振線路

材料特性

電容結(jié)構(gòu):     雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)

封裝:             阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).

尺寸:             適合于各種IGBT保護(hù)。

                        (可按客戶需求定制特殊規(guī)格)

電氣特性

電容量:         0.0047 to 6.8μF, 參考表格數(shù)據(jù)

額定電壓:     700 to 3000 Vdc

損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃.

                       Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4

絕緣電阻:     3000s，s= MΩ. μF 測試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃)

耐電壓:        2Ur (DC)測試條件 10s，t 25±5℃，1Min

工作溫度:    -40~+85℃