產(chǎn)品關(guān)鍵詞:
電容器、高頻、高脈沖電容器、EACO電容器,
STB系列 高頻、高脈沖電容器 |
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緩沖線路,可控硅整流線路,開關(guān)電源保護(hù)線路。 IGBT,MOSFET突波吸收 。 |
高電壓,高脈沖,高du/dt |
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材料特性 |
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電容結(jié)構(gòu): |
雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) |
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封裝: |
阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn). |
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尺寸: |
適合于各種IGBT保護(hù) 。 |
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(可按客戶需求定制特殊規(guī)格) |
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電氣特性 |
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電容量: |
0.001 to 1.5μF, 參考表格數(shù)據(jù) |
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額定電壓: |
630 to 2000 VdcVdc |
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損耗角正切: |
測試條件 1000±20 Hz , 25±5℃. |
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Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF, 6×10-4 |
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絕緣電阻: |
3000s,s= MΩ. μF 測試條件 1 minute,100Vdc (25±5℃) |
耐電壓: |
1.8Ur (DC)測試條件 2s,t 25±5℃,1Min |
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工作溫度: |
-40~+85℃ |
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產(chǎn)品關(guān)鍵詞:
電容器、高頻、高脈沖電容器、EACO電容器,