| STC系列 IGBT突波吸收電容 | |
| 雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗， | |
| 多條引線設(shè)計(jì)，可承受更高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。 | |
| 用于各類(lèi)IGBT緩沖線路突波吸收，各類(lèi)高頻諧振線路 | |
| 材料特性 | |
| 電容結(jié)構(gòu): | 雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) |
| 封裝: | 阻燃塑膠外殼，環(huán)氧樹(shù)脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn). |
| 尺寸: | 適合于各種IGBT保護(hù) 。 |
| (可按客戶需求定制特殊規(guī)格) | |
| 電氣特性 | |
| 電容量: | 0.0047 to 6.8μF, 參考表格數(shù)據(jù) |
| 額定電壓: | 700 to 3000 Vdc |
| 損耗角正切: | 測(cè)試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃. |
| Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 | |
| 絕緣電阻: | 3000s，s= MΩ. μF 測(cè)試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃) |
| 耐電壓: | 2Ur (DC)測(cè)試條件 10s，t 25±5℃，1Min |
| 工作溫度: | -40~+85℃ |
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