產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
電容、電容器、EACO電容、突波吸收電容,
| STS系列 IGBT突波吸收電容 |
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| 雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù)，使電容具低感抗， |
| 高紋波電流，高du/dv以及高過(guò)壓能力。 |
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| 高性價(jià)比，廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引、混合動(dòng)力車、大功率轉(zhuǎn)換、逆變焊機(jī)、 |
| 風(fēng)力發(fā)電等行業(yè)的“across-the-bus”功率線路設(shè)計(jì)。 |
| 材料特性 |
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| 電容結(jié)構(gòu): |
雙層金屬化膜，內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu) |
| 封裝: |
阻燃塑膠帶外包，環(huán)氧樹脂封裝，符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn). |
| 尺寸: |
能適合任何品牌的IGBT模塊尺寸。 |
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(可按客戶需求定制特殊規(guī)格) |
| 電氣特性 |
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| 電容量: |
0.01 to 10.0μF, 參考表格數(shù)據(jù) |
| 額定電壓: |
700 to 3000 Vdc |
| 損耗角正切: |
測(cè)試條件 1000±20 Hz ， 25±5℃. |
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Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4 |
| 絕緣電阻: |
3000s，s= MΩ. μF 測(cè)試條件 1 minute，100Vdc (25±5℃) |
| 耐電壓: |
2Ur (DC)測(cè)試條件 10s，t 25±5℃，1Min |
| 工作溫度: |
-40~+85℃ |
產(chǎn)品關(guān)鍵詞：
電容、電容器、EACO電容、突波吸收電容,
