目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用RCA清洗技術(shù)清洗拋光硅片，今天我們介紹一種溶浸式濕法化學(xué)清洗，串聯(lián)的SC1和兆聲去除顆粒，含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜，最后用IPA干燥。

IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發(fā)的特性，取代硅片表面的具有較高表面張力的水分，然后用熱N2吹干，達(dá)到徹底干燥硅片水膜的目的。

此種干燥工藝比傳統(tǒng)的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務(wù)的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過(guò)程中易產(chǎn)生邊緣目檢缺陷的缺點(diǎn)。針對(duì)這點(diǎn)，我們?cè)谏a(chǎn)中總結(jié)了一下經(jīng)驗(yàn)，并通過(guò)控制將此缺陷降到可控范圍內(nèi)。

1、硅片進(jìn)入IPA干燥腔后，通過(guò)片盒支架的特殊設(shè)計(jì)，使拋光面自動(dòng)與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面，有利于均勻的干燥。

2、PFA片盒作為硅片的載體，由于材料微觀多孔的特性，經(jīng)過(guò)反復(fù)烘干，孔被放大，加上長(zhǎng)時(shí)間的化學(xué)溶浸，少量化學(xué)物質(zhì)吸附在PFA的孔內(nèi)，烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷，因此定期處理PFA片盒是很必要的。

作為濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商，南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司對(duì)IPA干燥系統(tǒng)有豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和產(chǎn)線使用驗(yàn)證，為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。